Dolar 32,5639
Euro 35,2591
Altın 2.466,34
BİST 10.872,56
Adana Adıyaman Afyon Ağrı Aksaray Amasya Ankara Antalya Ardahan Artvin Aydın Balıkesir Bartın Batman Bayburt Bilecik Bingöl Bitlis Bolu Burdur Bursa Çanakkale Çankırı Çorum Denizli Diyarbakır Düzce Edirne Elazığ Erzincan Erzurum Eskişehir Gaziantep Giresun Gümüşhane Hakkari Hatay Iğdır Isparta İstanbul İzmir K.Maraş Karabük Karaman Kars Kastamonu Kayseri Kırıkkale Kırklareli Kırşehir Kilis Kocaeli Konya Kütahya Malatya Manisa Mardin Mersin Muğla Muş Nevşehir Niğde Ordu Osmaniye Rize Sakarya Samsun Siirt Sinop Sivas Şanlıurfa Şırnak Tekirdağ Tokat Trabzon Tunceli Uşak Van Yalova Yozgat Zonguldak
İstanbul 28°C
Hafif Yağmurlu
İstanbul
28°C
Hafif Yağmurlu
Cum 29°C
Cts 30°C
Paz 31°C
Pts 32°C

Samsung, Memcon 2024 Konferansında Yeni Stratejik Hedefini Duyurdu

Samsung, gelişen teknolojiye uyum sağlamak amacıyla 3D DRAM gibi yenilikçi çözümlere yöneliyor. Şirket, Dikey Kanal Transistörler ve Yığılmış DRAM gibi teknolojilerle liderlik etmeyi hedefliyor. Bu adımlar, bellek kapasitesini artırmayı ve elektronik cihazların daha güçlü hale gelmesini sağlayabilir.

Samsung, Memcon 2024 Konferansında Yeni Stratejik Hedefini Duyurdu
2 Nisan 2024 01:41
61

Semiconductor Engineering tarafından yapılan bir raporda belirtildiği üzere Samsung, Memcon 2024 konferansında yeni stratejik hedefini duyurdu. Şirketin gelişen teknolojiye uyum sağlamak amacıyla yenilikçi çözümlere yönelmesine yol açtı.

Samsung, sektöre liderlik etmek için geliyor!

Samsung Elektronik, geleneksel bellek tasarımlarının sınırlarını aşmak için 3D DRAM bellek alanında öncü olmayı hedefliyor. DRAM hat genişliklerinin önümüzdeki yıllarda 10 nanometrenin altına düşmesi beklenirken, mevcut bellek mimarileri ölçekleme sınırlarına yaklaşıyor. Bu durum, Samsung’un gelişen teknolojiye uyum sağlamak amacıyla 3D DRAM gibi yenilikçi çözümlere yönelmesine yol açtı.

Memcon 2024 etkinliğinde, Samsung’un öne çıkardığı iki temel teknoloji ise Dikey Kanal Transistörler ve Yığılmış DRAM oldu. Dikey Kanal Transistörler, transistör tasarımında önemli bir değişiklik öneriyor. Akım akış kanalını yataydan dikeye çevirerek, Samsung transistörlerin ayak izini önemli ölçüde azaltmayı hedefliyor. Ancak, bu yaklaşımın daha yüksek hassasiyet gerektirdiği unutulmamalıdır.

Samsung’dan yarı iletken devlerine ders olacak atık su hamlesi!

Yığılmış DRAM ise, alan kullanımını maksimize etmek için tasarlanmıştır. Geleneksel 2D DRAM’da sadece yatay düzlem kullanılırken, Yığılmış DRAM, dikey boyutu (z ekseni) kullanarak bir çip içinde birden fazla katman bellek hücresini yığar. Bu yenilikçi yaklaşım, tek bir çipin kapasitesini mevcut sınırların ötesine taşıyabilir.

Samsung’un bu adımları, çeşitli alanlarda bellek kapasitesini artırmayı hedeflediği uzun vadeli bir stratejinin parçasıdır. 3D DRAM pazarının 2028’de 100 milyar doları aşması bekleniyor. Samsung, bu alanda liderliğini sağlamlaştırmak amacıyla Silicon Valley’de özel bir 3D DRAM araştırma laboratuvarı kurdu.

Bu hamle, şirketin yetenek çekmesine ve araştırma-geliştirme çalışmalarını hızlandırmasına olanak tanıyor. Bu adımlarla birlikte, Samsung’un 3D DRAM’daki hedefleri, bellek teknolojisinde yeni bir dönemin başlangıcını temsil ediyor.

Sonuç olarak başarılı olması durumunda, bu yenilik elektronik cihazların daha güçlü hale gelmesine olanak tanıyabilir. Diğer büyük bellek üreticileri de bu alanda rekabeti artırmak için adımlar attığı biliniyor. Samsung’un öncü konumu ve araştırmaya olan bağlılığı, şirketi 3D DRAM devriminde lider yapabilir.

Peki ya sizce, Samsung’un 3D DRAM alanındaki liderliği ne gibi yenilikler getirecek? Bu teknoloji, günlük hayatımızı nasıl değiştirecek? Görüşlerinizi Yorumlar kısmında bizlerle paylaşabilirsiniz.

ETİKETLER: , , , ,
YORUMLAR

Henüz yorum yapılmamış. İlk yorumu yukarıdaki form aracılığıyla siz yapabilirsiniz.